三星开始限量生产第二代10nmDDR4记忆体提高生产力和性能

三星电子今天宣布，开始量产业界首款、採用第二代10nm製程（1y-nm）等级的DRAM晶片。需要注意的是，这里并不是10nm，预计是14~18nm之间。

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2017-12-20 15:27 上传

其中单晶片容量8Gb(1GB)。相较1x-nmm，製程层面上，性能提升10%，功耗和封装面积减小，效能提升15%。同时频宽3600Mbps起(可以理解为DDR4-3600)，也比1x-nm时代的DDR-3200进步。1y-nm製程，三星没有引入EUV，而是通过加入高灵敏度的单元数据感测系统和减少气隙实现。

与此同时，三星表示也会进一步加快依赖DRAM技术的DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等形态储存晶片的开发工作。目前AMD/Intel已经验证通过1y-nm记忆体。当然对于普通消费者来说，此举还意味着，1x-nm以及更老的製程的记忆体成本和最终价格将有望下探。

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