继三星之后SKHynix也量产20nm记忆体晶片及36层堆栈3D快闪记忆体

在全球储存晶片市场上，韩国厂商的实力雄厚，不论製程先进程度还是产能都领先日系、美系及台系厂商。SK Hynix日前在财报会议上宣布他们已经开始量产20nm製程的DRAM记忆体晶片，今年还会量产36层堆栈的3D快闪记忆体，明年规模量产48层堆栈的快闪记忆体，不过三星始终是SK Hynix挥之不去的阴影，因为有三星在，他们几乎只能做到第二。

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2015-10-19 20:40 上传

作为全球记忆体及快闪记忆体晶片中的一哥，三星早在2014年3月份就量产20nm记忆体晶片了，其3D快闪记忆体晶片更是发展了三代了，今年8月份开始量产48层堆栈的V- NAND快闪记忆体了，单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比，第三代3D V-NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降，而且还可以在现有生产线的基础上进行生产，生产效率提升40% 。有这样逆天般的大哥存在，SK Hynix只能抢到第二把交椅了，好在这个结果也不算坏，毕竟除了三星之外其他公司的进度比SK Hynix更慢。

来自Businesskorea网站的报导，现在SK Hynix公司也能量产20nm製程的DRAM记忆体晶片了，该公司已经在本月中旬的财报会议上证实了此事，他们还承认在20nm製程量产上遇到了困难，但现在已经克服了，之前已经给客户出样了，现在正在量产20nm记忆体晶片。至于3D快闪记忆体，SK Hynix高管表示他们今年会少量生产36层堆栈的快闪记忆体晶片，但是该公司并不打算大规模量产，他们要在明年直接上48层堆栈的3D快闪记忆体晶片。

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