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研究者开发出ReRAM硅晶片速度可达普通快闪记忆体100倍
发布时间:2023-04-19 22:56:03来源:
导读 还记得我们之前报导过的 ReRAM(可变电阻式记忆体)吗?不记得的话也没有关係,你只要知道两点就行了:它的速度要远高于 NAND 型快闪记
还记得我们之前报导过的 ReRAM(可变电阻式记忆体)吗?不记得的话也没有关係,你只要知道两点就行了:它的速度要远高于 NAND 型快闪记忆体;Elpida、Sharp、Panasonic 这些厂商已经将此项技术运用到自己的晶片产品中去了。而最近来自伦敦大学学院(University College London)的一项研究成果更是让我们看到了 ReRAM 美好的未来。newsiliconme.jpg (25.71 KB, 下载次数: 1)
2012-5-21 20:57 上传
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