三星量产10nm製程笔记型DDR4记忆体单条可达32GB2666MHz

今日三星在官网宣布量产10nm製程记忆体颗粒的SO-DIMM规格DDR4记忆体，单条最大32GB，频率最高可达2666MHz，同时功耗将可以下降39%之多。

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2018-5-3010:34上传

以往在SO-DIMM上实现32GB十分费劲，比方说之前的G-skill推出的Ripjaws3800MHzDDR4就是用的三星高阶B-die记忆体颗粒，但是需要用到四条8GB才能组成总容量32GB。而这一次三星依靠在颗粒上的优势，量产出10nm单颗粒16Gb（2GB）的IC，最后可以製作出单条32GB的SO-DIMM。而且频率进一步提升至2666MHz水平，刚好与现在的高阶第八代处理器相匹配，同时得益于10nm製程的更低漏电率，其功耗从7.4W下降至4.5W，幅度达到39%之多，这个也为增加笔记型续航时间+1s。

三星表示，推出高容量高规格的SO-DIMM规格可以帮助笔记型厂商推出性能更强游戏笔记型，同时自身还会进一步扩展10nm製程在储存领域的利用，未来还将会推出10nm的LPDDR4、GDDR5、DDR4颗粒。

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