创见4GB套装aXeRamDDR3-2000超频记忆体上市

超频玩家必备首选！

Transcend.png(4.8KB,下载次数:1)

2009-12-1922:31上传

迎接IntelLGA1156Corei5与Corei7新平台，全球数位储存媒体领导厂商—创见资讯(TranscendInformation,Inc.)日前发表套装aXeRam™DDR3-2000双通道超频记忆体模组，资料传输率高达2000MHz
，大幅超越DDR3标準时脉，并维持1.65伏特低工作电压，兼具高速、低耗电、高效能等特性，满足超频玩家对记忆体的极致需求。
新一代Intel四核心处理器Corei5引进最新的Nehalem
微架构，并内建整合式记忆体控制器，除了支援双通道记忆体，更透过其低延迟及更高记忆体频宽的特点，为需密集处理资料的应用程式提供惊人效能。创见aXeRam™DDR3-2000超频记忆体支援双通道模式，并採用1.65伏特低工作电压及9-9-9-24时序规格，可提供高达每秒32GB的传输频宽；严选最佳品质的记忆体晶片搭配铝製鳍型散热片，能有效排出系统高速运转时产生的热能，轻鬆提升时脉极限，让玩家们尽情驰骋IntelCorei5新平台，展现新一代颠峰效能。
创见4GB套装aXeRam™DDR3-2000记忆体包含二支相同规格的记忆体模组，皆採用最高级8层电路板设计，在布线路径、走线长度及电气特性方面，完全符合JEDEC（JointElectronDeviceEngineeringCouncil）规範标準，并搭载128Mx8的FBGA记忆体晶片，百分之百通过完整且严格的双通道实机测试，是重视稳定性、相容性及散热性的游戏高手和超频玩家不可错过的记忆体首选！
附件：创见DDR3-2000aXeRam™双通道套装记忆体模组产品规格
料号TX2000KLU-4GK
容量规格4GBaXeRam™DDR32000+MHzDualChannelKit(2GBx2,9-9-9-24,1.65V)
特色双片包装,双通道最佳化,XMPready

标签：

免责声明：本文为转载，非本网原创内容，不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。