三星第二代10nm等级8GbDDR4记忆体投产以后高频记忆体3600MHz起跳

三星刚才宣布量产第二代10nm（1y-nm）的8GbDDR4记忆体颗粒，新的记忆体拥有更高的频率与更低的供货，以及更小的尺寸，产能可以比初代10nm（1x-nm）的高30%，然而价格嘛……应该暂时不会降。

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2017-12-2109:10上传

新的1y-nm8GbDDR4颗粒採用了先进的专用电路设计技术，性能水平与效能会比1x-nm的高约10%到15%，它能够在3600MHz下运行，而1x-nm的8GbDDR4颗粒则是3200MHz，也就是说以后的高频记忆体要以3600MHz起跳了。

目前1y-nm记忆体的生产还没有用上EUV极紫外光设备，这次用的是高灵敏度细胞数据感测系统（high-sensitivitycelldatasensingsystem）与空气垫片（airspacer）方案，前者可以更準确地确定每个单元中储存的数据，从而显着提高电路整合度和生产效率，后者是在位线周围布置独特的空气垫片，这样可以显着降低寄生电容。

现在1y-nmDDR4记忆体模组已经完成了与CPU厂商的相关验证工作，接下来计划于全球IT客户合作，开发下一代计算系统，随着1y-nm记忆体投产所带来的技术储备，三星可以加速下一代记忆体产品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研发，可以进一步巩固三星在储存市场上的地位。

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