WD会议已交付96层3D快闪记忆体产品2D转3D过程很繁琐

前两天WD召开了一个会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则，而WD在会议上还报告了BiCS3和BiCS43DNAND快闪记忆体的生产状况。之前西部资料制定过一个目标，希望今年採用BiCS3技术生产的64层3DNAND快闪记忆体能占到3DNAND快闪记忆体产量的75%，不过现在这个数字有望能提升到90%以上。

另一组资料显示，WD的快闪记忆体类型还没完全从2DNAND转换成3DNAND，现在3DNAND快闪记忆体只占总产量的65%，换言之WD生产的所有快闪记忆体种还有三分之一是2DNAND快闪记忆体。


另外，在本月12号，WD宣布採用BiCS4技术的96层3DNAND快闪记忆体已经出货给零售商，早在6月底时我们已经了解到WD的BiCS4快闪记忆体不仅会有TLC类型，而且会有QLC。

使用BiCS4技术的TLC快闪记忆体晶片和採用BiCS3的TLC快闪记忆体晶片没任何区别，均包含256Gb和512Gb两种规格，但是採用BiCS4技术的QLC的存储晶片还可以有768Gb甚至1Tb这两种规格。


同时WD在他们的PPT中表示从2DNAND工艺转向3DNAND工艺过程非常繁琐，他们也认为这个计画的执行时间比原定时间延迟了大约6个月，不过从2D快闪记忆体彻底转向3D快闪记忆体的持续过程不会用太长时间。

在现在2D转3D的潮流中，有些製造商已经将用于生产2DNAND的设备升级成生产DRAM的设备，而不是升级成生产3DNAND的设备，不知道WD会不会借鑒这种思路。

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