HPSandisk开发非易失新快闪记忆体速度快千倍

今年7月份，Intel联合美光推出了3DXPoint储存方案，从形式上颗粒可理解为“3D快闪记忆体”。Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术，这是一种採用电阻的非易失性记忆体储存方案，读取延迟10纳秒级别，使用寿命即全碟写入1000万次级别，介于传统DRAM、NAND之间。

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2015-10-920:25上传

令人印象深刻的是，Intel称採用3DXPoint非易失性存储方案，比传统NAND快闪记忆体速度快1000倍、寿命长1000倍、储存密度高10倍，号称1989年NAND快闪记忆体推出以来最大的技术创新。考虑到现在DRAM、固态硬碟市场的蓬勃发展，蛋糕可不能仅仅由Intel和美光独享。

外媒报导称，HP与SanDisk週四共同宣布，双方将就联合推出新记忆体晶片达成合作协议。新技术号称可比传统快闪记忆体快1000倍，主要针对市场除了移动设备外，还包括数据中心等企业领域。很明显，HP与SanDisk的技术合作旨在挑战英特尔与美光于今年7月共同推出3DXpoint记忆体技术。HP和SanDisk表示，其新记忆体产品可于未来大规模取代传统DRAM，以更低价格和更快性能入驻企业数据中心。

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