一种消除钙钛矿薄膜表面离子缺陷的清洁方法

与英国，中国和澳大利亚的研究机构有联系的一组研究人员开发了一种清洗-愈合-清洗方法，该方法可消除3-D钙钛矿薄膜表面的离子缺陷。在发表于《自然电子》杂志上的论文中，该小组描述了他们的过程以及它的工作原理。韩国科学技术大学的朱慧慧，刘傲和能永(Yong-YoungNoh)在同一期杂志上发表了《新闻与观点》文章，概述了金属卤化物钙钛矿半导体的用途，这些因素限制了它们用作场效应晶体管，以及团队在这项新工作上所做的工作。

钙钛矿金属卤化物半导体一直是科学家研究的主题，他们正在研究构建光电器件的新方法。但是正如Zhu，Liu和Noh指出的那样，对于在场效应晶体管中的使用并不能说相同。他们解释说，这是因为它们受到几个问题的困扰，其中之一是由于给定通道中的移动离子屏蔽了施加的栅场而导致的离子迁移。结果是电流调制和电流与电压之间的磁滞减少。在这项新的努力中，研究人员开发了一种处理半导体的方法以防止此类问题。

他们开发的过程分为三个步骤。第一种方法是使用清洁剂从表面清除缺陷或键合弱的物质。第二步是修复过程，该过程可以消除第一步产生的缺陷或空缺。第三步涉及应用另一种清洁剂，以清除第二步之后残留的离子。它还可以确保表面完全干净，并且可以使用半导体。

研究人员指出，清洁剂是经过精心选择的，以确保它们能够完成所需的工作，而没有其他任何事情。为此，他们选择了极性和非极性溶剂，它们可以以不会改变钙钛矿结构且不会留下任何残留物的方式一起使用。他们还进行了测试，以发现最佳的环境条件。该小组指出，他们的工作只是开发基于金属卤化物钙钛矿半导体的场效应晶体管的一步。

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