SKHynix量产首个4DNAND快闪记忆体96层堆栈速度提升30%

随着64层堆栈3DNAND的大规模量产，全球6大NAND厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3DNAND，几家厂商的技术方案也不太一样，SKHynix给他们的新快闪记忆体起了个4DNAND的名字。在今年的FMS国际快闪记忆体会议上正式宣告了业界首个採用CTF技术的4DNAND，日前他们又宣布4DNAND正式量产，目前主要是TLC类型，96层堆栈，512Gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。

5258045290174858.jpg(343.51KB,下载次数:6)

2018-11-523:06上传

根据SKHynix之前公布的信息，所谓的4DNAND其实也是3DNAND，它是把NANDCell单元的PUC（PeriUnderCell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4DNAND，本质上其实还是3DNAND，4DNAND有很强的商业味道。

SKHynix的4DNAND首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。至于QLC类型的，这个未来会是SKHynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报导称SKHynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4DNAND，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3DNAND相比，4DNAND的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。根据官方所说，4DNAND今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

消息来源

标签：

免责声明：免责声明：本文由用户上传，与本网站立场无关。财经信息仅供读者参考，并不构成投资建议。投资者据此操作，风险自担。 如有侵权请联系删除！