上海积塔半导体申请半导体结构及其形成方法专利改善了沟槽填充效果 到底什么情况嘞

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1、金融界2024年9月10日消息，天眼查知识产权信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法“，公开号CN202410764381.4，申请日期为2024年6月。

2、专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。

3、所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供基底，所述基底包括衬底以及沿第一方向位于所述衬底上的第一介质层，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；于所述基底中形成沟槽，所述沟槽沿所述第一方向贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底的内部，所述沟槽的顶部至少沿第二方向向所述第一介质层的内部凹陷，所述第二方向与所述衬底的顶面平行；形成填充满所述沟槽的隔离层。

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