3D（TLC经典之作 三星860 EVO 250GB详细图文评测）

大家好，小太来为大家解答以上问题。3D，TLC经典之作三星860EVO250GB详细图文评测这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

要还原3DTLC的性能，今天先从性能相对较好的说起，所以测试的是三星的860EVO250G，感兴趣的朋友不要错过。

一、产品包装与附件：

80EVO采用彩印纸箱包装。

附件很简单，只有一个说明。

产品机身是标准的2.5英寸SSD。

SSD的接口是SATA6Gbps。

二、产品测试平台：

简单介绍一下测试平台。

使用的主板是Z270-PHOENIXGAMING，千兆字节。

是内存海盗船的DDR48G*4。实际工作频率为2666C15。

显卡采用蓝迪恒进的VEGA64水冷版。

SSD是INTEL的三块，系统盘用的是主流的535，会作为SATASSD的参考结果。

散热器是G360RGB，至尊冰神。

电源是海韵的750PRIME。

测试平台是Streacom的BC1。

三、产品性能测试：

这里，启用了一组新的测试标准来进行横向比较。测试环境是SSD完全擦除重新分区，消除新盘的鸡血状态。

连续读写性能选用HDTune的大文件读写测试，文件大小为50GB。

4K随机性能采用IOMeter混合读写，分别测试QD1的浅队列和QD32的深队列。因为日常使用中不会出现纯粹的读写行为，所以在读写测试中会反向混合25%的负载(比如阅读测试中75%阅读，25%写作)。

现在，一些固态硬盘会拼命调整固件来提高4K的随机值，所以这里引入4K离散值统计来暴露那些surface固态硬盘的原型。该公式将包括对不同固态硬盘的平均IOPS的补偿，并且不会出现低性能固态硬盘和低色散的bug。

IO的延迟部分将作为SSD10G文件进行测试，延迟的数据将连续读写三次并取平均值。

下图显示了横向统计数据。相比其他SATASSD，860EVO的优势还是比较大的。

下图显示了分立器件的测试。可以看出860EVO在QD1浅队列下的离散稳定性相当不错。在QD32深队列下，860EVO的读取还是比较稳定的，但是写入性能波动较大，应该是SLC缓存的持续介入造成的。

因为写的离散性问题，最终我没有选择用860EVO作为SSD横向对比的基准。

传统的产品性能测试可以大致分为三个部分。

开箱性能测试，这个环节可以测试SSD在最佳状态下能达到什么样的性能。

压力测试，这一步是通过长时间满负荷写入，测试SSD在极限压力下的性能。

日常状态测试，压力测试结束后，SSD会通过一个小时的待机和重新分区来恢复，来体现日常使用中的性能。

下面是最有意思的SSD压力测试。在新的磁盘状态下，HDTune的读写曲线大致为336MB/307MB。可以看到860EVO也有SLC缓存，在SLC缓存性能可以达到375MB左右，大小在8G左右，读取性能一般，曲线不是很好，但是写入性能不错。

通过使用HDTune连续擦除SSD来擦除SSD。截图中可以看到860EVO的写入速度始终保持在300-350之间，对于一个250G的SSD来说已经相当不错了。在这里连续写SSD一个小时。

完成压力测试后，读写性能约为337MB/254MB。这样阅读变化不大，写作衰减但不是特别严重。

待机一小时后，读写性能提升至356MB/302MB。书写曲线还原了很多，表现相当不错。

重新分区刷新后，读取性能进一步提升至372MB，但随机性能下降较大。写性能下降很大，只有283MB左右。

可见三星的SSD如果测试一个新盘就有点肤浅了。

四、常规跑分测试：

HDTune的测试显示，擦除前后读取性能大致相同，但写入性能下降明显。

然后再看不同测试软件的跑分。像SSD也是1200左右。目前大部分SATASSD都会优化到这个分数。

anvils存储实用程序中的所有数据都比较稳定，尤其是因为860EVO有很强的连续写入性能，所以32G文件测试没有明显的衰减。

CrystalDiskMark、TxBENCH、ATTO现在都成了surfaceSSD的天堂，请参考。

五、简单总结：

关于产品的性能：

就绝对性能而言，三星860EVO的性能相当不错，相对于群联/东芝方案的SSD有很大优势。

关于产品的离散性能：

就离散性能而言，三星860EVO总体稳定，但深队列写入离散度有些大，影响了最终得分。

总的来说，三星860EVO给人的感觉不错，各项性能都不错，可以说代表了目前3DTLC产品第一梯队的表现。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。

标签：

免责声明：本文为转载，非本网原创内容，不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。