倒装发光二极管结构及其制作方法（关于倒装发光二极管结构及其制作方法的简介）

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1、《倒装发光二极管结构及其制作方法》是厦门市三安光电科技有限公司于2015年9月28日申请的专利，该专利公布号为CN105336829A，公布日为2016年2月17日，发明人是何安和、林素慧、郑建森、彭康伟、林潇雄等，该发明涉及光电及半导体技术领域。 

2、《倒装发光二极管结构及其制作方法》包括：基板；外延层，位于所述基板之上，外延层包括：第一半导体层、第二半导体层以及夹于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层；第一电极结构，位于所述第一半导体层上；第二电极结构，位于所述第二半导体层上；第一电极结构包括第一电极本体和第一电极环，第二电极结构包括第二电极本体和第二电极环；第一电极环的厚度大于或等于第一电极本体的厚度，且第二电极环的厚度大于或等于第二电极本体的厚度。第一电极环、第二电极环作为阻隔栅结构，用于避免发光二极管在封装使用中由于固晶导电材料的溢流导致短路，提高可靠性。 

3、2019年9月，《倒装发光二极管结构及其制作方法》获得2019年度福建省专利奖二等奖。 

4、（概述图为《倒装发光二极管结构及其制作方法》的摘要附图） 

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